特許および論文、資格の詳細（旧姓表記です）

【特許】

特開2015-130427
【発明の名称】ドライエッチング装置およびドライエッチング方法

特開2013-016792
【発明の名称】半導体デバイス、半導体基板、半導体基板の製造方法および半導体デバイスの製造方法

特開2013-016791
【発明の名称】半導体デバイス、半導体基板、半導体基板の製造方法および半導体デバイスの製造方法

特開2013-004545
【発明の名称】半導体基板の製造方法および半導体基板

特開2013-023326
【発明の名称】半導体基板、電界効果トランジスタ、集積回路、及び半導体基板の製造方法

特開2005-302887
【発明の名称】高精度高圧基板処理方法及び装置

【学会論文】

１．博士学位論文

Low Temperature Fabrication Technologies of Thin Film Transistor by Remote Oxygen Plasma Treatment

２．博士課程の論文

(1)“Improvement in Structural and Electrical Properties of SiO2 Films Formed by Sputtering Method”
Proc in 4st Thin Film Material & Devices Meeting (Kyoto, 2007) 173-175

(2)“Polysilazane Precursor Used for Formation of Oxidized Insulator”
Proc in 4st Thin Film Material & Devices Meeting (Kyoto, 2007) 183-185

(3)“Polysilazane Precursor Used for Formation of Oxidized Insulator”
Proc in Material Research Society Spring Meeting (San Francisco, 2008) A 5.2

(4)“Improvement in SiO2 Film Properties Formed by Sputtering Method at 150oC”
Jpn. J. Appl. Phys. 47 (2008) 8003-8006.

３．学会論文

AIST(産業技術総合研究所：National Institute of Advanced Industrial Science and Technology)

(1) 9 co-authors
“Correlation between Channel Mobility Improvements and Negative Vth Shifts
in III-V MISFETs:Dipole Fluctuation as New Scattering Mechanism”
Electron Devices Meeting (IEDM), 2010 IEEE International. 6.5.1 - 6.5.4

(2) 12 co-authors
“Front-gate InGaAs-on-Insulator metal-insulator-semiconductor field-effect
transistors”
Appl. Phys. Lett. 97, 253502 (2010).

(3) 9 co-authors
“On the mechanisms limiting mobility in InP/InGaAs buried channel nMISFETs”
Microelectronic Engineering. Vol 88, Issue 7, 1076-1078, July 2011.

21 publications as a co-author.

語学·資格

2005年2月　高圧ガス　製造保安責任者免状　乙種機械、床上操作式クレーン運転　修了
2009年3月　工学博士学位　取得
2012年9月　毒劇物取扱者免状、有機溶剤作業主任者、特定化学物質及び四アルキル鉛等作業主任者、危険物取扱者免状(乙種3,4,6類)　取得
2012年12月　TOEIC 825

表彰

2000年　MVP受賞
関東学生フットボールクラブ連盟にて、東京理科大学ラスカルズでリーグ戦優勝し、リーグMVPを受賞。